您好,欢迎来到深圳和润天下电子科技有限公司

C3M0280090D封装TO-247-3 丝印C3M0280090场效应管MOS管N沟道原装

发布时间2025-2-22 10:41:00关键词:C3M0280090D
摘要

C3M0280090D封装TO-247-3 丝印C3M0280090场效应管MOS管N沟道原装

C3M0280090D

制造商: Wolfspeed

产品种类: 碳化硅MOSFET

RoHS:  详细信息

REACH - SVHC: 详细信息

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 11.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 19 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 9.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 54 W

通道模式: Enhancement

商标: Wolfspeed

配置: Single

下降时间: 7.5 ns

封装: Tube

产品: Power MOSFETs

产品类型: SiC MOSFETS

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 30

子类别: Transistors

技术: SiC

类型: Silicon Carbide MOSFET

典型关闭延迟时间: 17.5 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

单位重量: 6 g