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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 94 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
通道模式: Enhancement
系列: FDB33N25
封装: Reel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 120 ns
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 230 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.65 mm
单位重量: 4 g
