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ISSI/艾赛斯 IXTT10N100D2 TO-268-3 MOSFET 原装现货 价格优势 欢迎了解!

发布时间2024-6-27 16:27:00关键词:IXTT10N100D2
摘要

ISSI/艾赛斯 IXTT10N100D2 TO-268-3 MOSFET 原装现货 价格优势 欢迎了解!

IXTT10N100D2

产品属性 属性值 选择属性

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-268-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 10 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 200 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 695 W

通道模式: Depletion

系列: IXTT10N100

封装: Tube

商标: IXYS

配置: Single

产品类型: MOSFET

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子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 6.500 g