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ISSI/艾赛斯 IXXH30N65C4D1 TO-247-3 IGBT晶体管 原装现货 价格优势 欢迎了解!

发布时间2024-6-26 17:00:00关键词:IXXH30N65C4D1
摘要

ISSI/艾赛斯 IXXH30N65C4D1 TO-247-3 IGBT晶体管 原装现货 价格优势 欢迎了解!

IXXH30N65C4D1

产品属性 属性值 选择属性

制造商: IXYS

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Copack (FRED)

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 2.5 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 62 A

Pd-功率耗散: 230 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: Trench - 650V - 1200V GenX11

封装: Tube

商标: IXYS

集电极最大连续电流 Ic: 62 A

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

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子类别: IGBTs

商标名: XPT