IXYS/艾赛斯 IXYK110N120A4 TO-264-3 MOSFET 原装现货 价格优势 欢迎了解！

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制造商: IXYS

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-264-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 1.8 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 375 A

Pd-功率耗散: 1.36 kW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

系列: Trench

封装: Tube

商标: IXYS

集电极最大连续电流 Ic: 900 A

栅极—射极漏泄电流: 200 nA

产品类型: IGBT Transistors

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子类别: IGBTs

商标名: XPT