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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 520 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 545 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: IXFK520N075
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 65 S
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 36 ns
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 10 g
