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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 160 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.39 kW
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: IXFX160N30
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 100 S
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 38 ns
30
子类别: MOSFETs
类型: GigaMOS Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 105 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
宽度: 5.21 mm
单位重量: 6 g
