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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 31 ns
高度: 4.7 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 54 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
宽度: 9.4 mm
单位重量: 1.600 g
