产品属性 属性值 选择属性
制造商: Qorvo
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 750 V
Id-连续漏极电流: 106 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
系列: UJ4SC
封装: Tube
商标: Qorvo
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 34 ns
600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
