IGW50N60H3 主要参数：制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 333 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: HighSpeed 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: SP000702548 IGW5N6H3XK IGW50N60H3FKSA1
单位重量: 38 g
