制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: N
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 20 ns, 19 ns
正向跨导 - 最小值: 4.5 S
高度: 1.5 mm
长度: 5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 77 ns, 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 17 ns, 15 ns
典型接通延迟时间: 13 ns, 9 ns
宽度: 4 mm
单位重量: 74 mg
